更新时间:2026-01-21
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在计算机领域中“存储”的概念非常广泛,从CPU寄存器到云端硬盘,只要能放存放并被重新读出的硬件/系统,都叫存储。而无论是云端存储,还是系统缓存都离不开
把“”想成一座超级迷你图书馆,盖在指甲盖大小的“硅片广场”上,里面每本书只有一粒沙子那么大。再配译码、放大、纠错、接口一整套物业,最后封装成能插、能焊、能叠的‘固态图书馆’;它不动、不转、不发声,却能记住整个数字世界的记忆。
速度优势:存储芯片采用纯电子式读写,省去机械寻道与旋转延迟环节,显著缩短随机访问时间,使系统启动、文件加载与实时计算得以“即点即现”,用户体验由“等待”跃升为“秒级响应”。
体积优势:凭借纳米级工艺与三维堆叠结构,存储芯片可在指甲盖大小的硅片内集成千亿比特容量,为移动终端、可穿戴设备及高密度服务器提供“轻量级、大容量”的记忆载体,助力整机轻薄化与小型化。
抗震优势:芯片内部无活动部件,数据读写仅依赖电荷、磁旋或相变等微观物理机制,具备优异的抗冲击与抗振动能力,可在车载、工业及航天等高动态环境中持续稳定记录,保障关键数据安全。
功耗优势:无需马达驱动与磁头伺服,工作电流主要源于晶体管开关与电容充放,待机功耗低至微瓦级;在相同任务下,芯片方案较传统机械存储降低能耗一个量级以上,有效延长电池续航并减少数据中心散热压力。
可靠优势:存储芯片可将原始擦写寿命扩展至整机生命周期,并在高温、高湿、辐射等严苛条件下保持数据完整性,实现长期免维护运行。
一台AI训练服务器所需的DRAM内存是普通服务器的8倍,NAND闪存用量也达到3倍以上。
大模型(如Gemini 3.0、通义千问等)参数动辄上千亿,必须依赖HBM+高速SSD+大容量DDR5才能运行,存储配置无法“缩水”。
科技巨头(英伟达、谷歌、微软、阿里等)2025–2026年AI资本开支超4000亿美元/年,大量新建直接拉动高端存储采购。
存储已成为AI算力的“瓶颈”,性能不足会拖慢训练效率——企业宁愿高价抢货,也不愿等待。
原厂(三星、SK海力士、美光)将70%以上先进产能转向HBM和DDR5,导致传统DRAM/NAND产能被挤占,出现“全面缺货”。
新建晶圆厂周期长达2–3年(如美光纽约厂2030年才投产),2026年供应缺口仍难缓解。
逻辑为:存储涨价 → 晶圆厂扩产 →设备订单爆发。存储原厂在高利润驱动下,正加速扩产和升级:
美光:投资1000亿美元建新厂 + 18亿美元收购力积电厂房,2027年释放DRAM产能。
长江存储/长鑫存储:中国厂商加速推进128层NAND、LPDDR5X等高端产品,设备国产化率目标达50%。
台积电2026年Capex预计超520亿美元(同比+27%),中芯国际、华虹等同步上调资本开支。
相关产品半导体设备ETF易方达(159558)备受关注,该产品紧密跟踪中证半导体材料设备主题指数,中证半导体材料设备主题指数选取40只业务涉及半导体材料和半导体设备等领域的上市公司证券作为指数样本,反映半导体材料和设备上市公司的整体表现。相关联接基金(A/C:021893/021894)。
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